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国际刊号:ISSN 1007-1865 / 国内刊号:CN 44-1238/TQ

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Ba2-xPbxTiSi2O8陶瓷的合成、结构与电性能研究

第一作者:王彦辉 投稿时间:2019-04-01 打印本页


采用高温固相反应法合成了Pb掺杂的Ba2-xPbxTiSi2O8 (x=0-0.3)材料,通过X-射线衍射粉末衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分别对其物相与微观形貌进行了表征,结果显示Ba2-xPbxTiSi2O8(0.0-0.3)材料是单一物相,结构为四方晶系,空间群为P4bm,在固溶体中Pb是均匀分布的,并且随着Pb含量的增加,成功降低了Ba2-xPbxTiSi2O8陶瓷的烧结致密温度。另外,通过交流阻抗对样品进行了电性能研究,研究显示,材料的电性能依然是由晶粒响应引起的,与Ba2TiSi2O8陶瓷相比,通过Pb的等价掺杂并不能提高了材料的导电率,却可以降低Ba2-xPbxTiSi2O8(x=0.1-0.3)材料的活化能。另外,随着Pb含量的增多成功提高了材料的介电性能。材料在脉冲电容器、低频谐振器等装置中有广泛的应用。